激光标刻机与化学、等离子刻蚀机的对比

刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。简单点说就是通过刻蚀技术在薄膜上绘制不同的图形，得到工艺要求的图案。在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。

刻蚀技术分为干法刻蚀和湿法刻蚀，湿法刻蚀主要是指化学刻蚀，干法刻蚀主要指等离子刻蚀和激光刻蚀。

湿法化学刻蚀（比如：电化学/电腐蚀打标机）

湿法化学刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。这种刻蚀方法的优点是适应性强，均匀性较好，适合于大部分材料；缺点是图形刻蚀保真较差，刻蚀线宽不均匀难以掌控，切刻蚀线宽无法做到精密，因此对于消费电子领域精密度越来越高的要求下，逐渐被淘汰，被激光刻蚀所取代，但他价格相对便宜，适合于大批量生产，在光伏行业中仍然占有一定量的占有率。

干法刻蚀

1.等离子刻蚀

等离子刻蚀是指利用高频辉光放电反应，将反应气体激活成活性粒子，如源自或游离基，这些活性粒子扩散到刻蚀的部位，在哪里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除，达到刻蚀的目的。等离子科室的特点是能像异性刻蚀，能够保证细小图形的保真性。缺点是刻蚀的精度不够，且设备昂贵。

2.激光刻蚀（比如：激光打标机）

激光刻蚀机是利用高能量激光光束照射到被刻蚀工件表面，使其融化、气化，形成一定深度的凹槽，实现对材料刻蚀的目的。激光刻蚀的特点是刻蚀良品率高、稳定性高，灵活性好，可以实现不同图形不同角度的一次性成型技术，且无耗材、无污染，成本低。相比较于湿法刻蚀，缺点是刻蚀速度比湿法刻蚀低，无法满足超大批量的生产。因此在精度要求较低的行业中往往采用湿法刻蚀，在要求精度高的情况下往往都采用激光刻蚀手段。